280190 VO+UE Microstructure analysis using Scanning Electron Microscopy and Ion Beam Technique (2013S)
Prüfungsimmanente Lehrveranstaltung
Labels
Mo 4.3.2013, 14:00 Vorbesprechung 2C315.
Unterrichtsräume: 2C315 und 2U120
Voraussetzung: Instrumentelle Methoden II
Max.Teilnehmerzahl: 8 (bei Bedarf nach Wahl des Leiters)
Leistungsnachweis: Abgabe eines Protokolls zu einem vorgegebenen SEM-Projekt
Unterrichtsräume: 2C315 und 2U120
Voraussetzung: Instrumentelle Methoden II
Max.Teilnehmerzahl: 8 (bei Bedarf nach Wahl des Leiters)
Leistungsnachweis: Abgabe eines Protokolls zu einem vorgegebenen SEM-Projekt
An/Abmeldung
Hinweis: Ihr Anmeldezeitpunkt innerhalb der Frist hat keine Auswirkungen auf die Platzvergabe (kein "first come, first served").
- Anmeldung von Mi 13.02.2013 00:00 bis Mi 27.02.2013 23:59
- Anmeldung von Fr 01.03.2013 00:00 bis Fr 22.03.2013 23:59
- Abmeldung bis Fr 22.03.2013 23:59
Details
max. 8 Teilnehmer*innen
Sprache: Deutsch, Englisch
Lehrende
Termine (iCal) - nächster Termin ist mit N markiert
Donnerstag
02.05.
09:00 - 12:00
Hörsaal 1 2A120 1.OG UZA II Geo-Zentrum
Information
Ziele, Inhalte und Methode der Lehrveranstaltung
An der Fakultät für Geowissenschaften, Geographie und Astronomie, Erdwissenschaftliches Zentrum, wurde ein neues Labor für Rasterelektronenmikroskopie und Ionenstrahltechnik eingerichtet. Dieses Labor bietet eine absolut zeitgemäße Analytikplattform für die Materialcharakterisierung mit hoher räumlicher Auflösung (im nm Bereich) und Zugang zu dreidimensionalen Strukturen über die Materialbearbeitung mittels fokussiertem Ionenstrahl. Mit diesem Kurs wollen wir die Studierenden der Geowissenschaften an die Möglichkeiten dieser Einrichtung heranführen. Im Vorlesungsteil werden die Grundlagen der Rasterelektronenmikroskopie insbesondere im Hinblick auf die Besonderheiten der Feldemission und die Grundlagen der Ionenstrahltechnik besprochen. Den Hauptteil der Lehrveranstaltung wird die Arbeit am Gerät ausmachen. Es werden im REM Modus elektronenoptische Bilder mit allen am Gerät verfügbaren Detektoren (SE, BSE, …) angefertigt. An elektronentransparenten Proben wird die Methode der Scanning Transmission Electron Microscopy (STEM) erlernt.Für weiterführende Anwendungen wie die Elementanalytik mittels EDX System, crystal orientation imaging mittels Back Scatter Electron Diffraction (EBSD) und die 3D Rekonstruktion von Mikrostrukturen aus FIB Serienschnitten werden separate Kurse angeboten.
Art der Leistungskontrolle und erlaubte Hilfsmittel
Mindestanforderungen und Beurteilungsmaßstab
Prüfungsstoff
Literatur
Zuordnung im Vorlesungsverzeichnis
Letzte Änderung: Sa 02.04.2022 00:25